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實(shí)驗(yàn)室用水常識(shí)
點(diǎn)擊次數(shù):865 更新時(shí)間:2015-08-12

    水是實(shí)驗(yàn)室內(nèi)一個(gè)常常被忽視但至關(guān)重要的試劑。實(shí)驗(yàn)室用水有哪些種類(lèi)?能達(dá)到什么級(jí)別?不同實(shí)驗(yàn)對(duì)水的要求有那些?為澄清這些模糊的概念,作者閱讀并記錄了一些相關(guān)資料,其中絕大多數(shù)資料是從外文資料翻譯過(guò)來(lái)的。
實(shí)驗(yàn)室常見(jiàn)的水的種類(lèi): 
1、蒸餾水(Distilled Water ): , Q6 k5 V  h4 M" d
實(shí) 驗(yàn)室zui常用的一種純水,雖設(shè)備便宜,但極其耗能和費(fèi)水且速度慢,應(yīng)用會(huì)逐漸減少。蒸餾水能去除自來(lái)水內(nèi)大部分的污染物,但揮發(fā)性的雜質(zhì)無(wú)法去除,如二氧化 碳、氨、二氧化硅以及一些有機(jī)物。新鮮的蒸餾水是無(wú)菌的,但儲(chǔ)存后細(xì)菌易繁殖;此外,儲(chǔ)存的容器也很講究,若是非惰性的物質(zhì),離子和容器的塑形物質(zhì)會(huì)析出造成二次污染。 
2、去離子水(Deionized Water ): 
應(yīng)用離子交換樹(shù)脂去除水中的陰離子和陽(yáng)離子,但水中仍然存在可溶性的有機(jī)物,可以污染離子交換柱從而降低其功效,去離子水存放后也容易引起細(xì)菌的繁殖。 2 p" K- s, Q9 E
3、反滲水(Reverse osmosis Water): 
其生成的原理是水分子在壓力的作用下,通過(guò)反滲透膜成為純水,水中的雜質(zhì)被反滲透膜截留排出。反滲水克服了蒸餾水和去離子水的許多缺點(diǎn),利用反滲透技術(shù)可以有效的去除水中的溶解鹽、膠體,細(xì)菌、病毒、細(xì)菌內(nèi)毒素和大部分有機(jī)物等雜質(zhì),但不同廠家生產(chǎn)的反滲透膜對(duì)反滲水的質(zhì)量影響很大。 , ?+ M! B& n6 [- ~, Y% {
4、超純水(Ultra-pure grade water): 
其標(biāo)準(zhǔn)是水電阻率為18.2MΩ-cm。但超純水在TOC、細(xì)菌、內(nèi)毒素等指標(biāo)方面并不相同,要根據(jù)實(shí)驗(yàn)的要求來(lái)確定,如細(xì)胞培養(yǎng)則對(duì)細(xì)菌和內(nèi)毒素有要求,而HPLC則要求TOC低。 

; B8 |9 ^7 v. h: u
評(píng)價(jià)水質(zhì)的常用指標(biāo): 
1、電阻率(electrical resistivity): 
衡量實(shí)驗(yàn)室用水導(dǎo)電性能的指標(biāo),單位為MΩ-cm,隨著水內(nèi)無(wú)機(jī)離子的減少電阻加大則數(shù)值逐漸變大,實(shí)驗(yàn)室超純水的標(biāo)準(zhǔn):電阻率為18.2MΩ-cm。 
2、總有機(jī)碳(Total Organic Carbon ,TOC): 
水中碳的的濃度,反映水中氧化的有機(jī)化合物的含量,單位為ppm 或 ppb。 ) S, P( E3 o5 v3 c9 c1 l$ ^
3、內(nèi)毒素(Endotoxin): 
革蘭氏陰性細(xì)菌的脂多糖細(xì)胞壁碎片,又稱(chēng)之為“熱原",單位cuf/ml。


GB 6682-2000 中國(guó)實(shí)驗(yàn)室用水國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

名 稱(chēng) 


一 級(jí) 


二 級(jí) 


三 級(jí) 


PH值范圍(25℃) 



-  


5.0-7.5 


電導(dǎo)率(25℃),mS/m ≤ 

5 b. n* f  Y# Y$ ~

0.01 


0.10 

/ g" u6 u, [3 [8 n! s# I

0.50 


比電阻(MΩ.cm.25℃)≥ 


10 

$ a9 @! G& F' p. X

( C# @( |& O( `6 R- [

0.2 


可氧化物質(zhì)[以(0)計(jì)],mg/L 

4 u8 Z) D# b! `; @: r5 X$ m


0.08 

8 ?3 f/ Q3 L) {' E* K. j: ^( z: ~- e

0.40 

* ~2 l: D: @6 [8 w

< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤ 

$ ^! p9 ~, K) k; |7 o9 v9 n7 l- |! Y) Q' M

0.001 


0.01 

+ i/ _5 o8 e1 q: c

+ I5 z9 o5 n! Q  ?( D  S

蒸發(fā)殘?jiān)?05±2℃),mg/L≤ 

+ c% c% C" |! h& G+ s: G1 W1 ]2 _  ?


1.0 


2.0 


可容性硅[以(sio2)計(jì)],mg/L< 


0.01 


0.02 

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-

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